Carbid Silicon Du

Mae pwynt toddi carbid silicon mor uchel â 2700 gradd, a gall weithio'n sefydlog ar dymheredd uchel am amser hir, felly fe'i defnyddir yn aml i wneud stofiau tymheredd uchel. Gall deunyddiau silicon carbid gynnal eu strwythur a'u perfformiad sefydlog ar dymheredd uchel ac nid ydynt yn hawdd eu toddi neu eu dadffurfio, gan eu gwneud yn addas ar gyfer prosesau tymheredd uchel a phrofion ffwrnais.

Mae gan silicon carbid galedwch hynod o uchel, yn ail yn unig i ddiamwnt. Gall ei galedwch gyrraedd 9.5, felly defnyddir carbid silicon yn aml fel deunydd sgraffiniol ar gyfer prosesau malu, sgleinio a thorri. Mae gan sgraffinyddion silicon carbid berfformiad malu effeithlon a bywyd hir, ac maent yn addas ar gyfer peiriannu metelau, cerameg, gwydr a deunyddiau eraill yn fanwl gywir.

Mae gan silicon carbid wrthwynebiad uchel i gyrydiad cemegol fel asidau ac alcalïau. Nid yw'n ymateb yn hawdd gyda'r rhan fwyaf o gemegau ar dymheredd uchel ac mae ganddo ymwrthedd cyrydiad da. Mae hyn yn gwneud deunyddiau carbid silicon a ddefnyddir yn eang mewn prosesau cemegol, gweithgynhyrchu electronig a meysydd eraill.

Mae gan silicon carbid ddargludedd trydanol uchel a gellir ei ddefnyddio i gynhyrchu cydrannau electronig fel gwresogyddion gwrthiant ac electrodau. Mae gan wresogyddion ymwrthedd silicon carbid nodweddion gwresogi cyflym a sefydlogrwydd tymheredd uchel, ac fe'u defnyddir yn helaeth mewn sychu tymheredd uchel, sintering, triniaeth wres a phrosesau eraill.

Mae gan silicon carbid briodweddau trydanol a thermol rhagorol ac fe'i defnyddir yn helaeth wrth weithgynhyrchu dyfeisiau lled-ddargludyddion. Mae gan grisial carbid silicon gyfradd mudo electron uchel a lled band ynni isel, a gellir ei ddefnyddio i gynhyrchu dyfeisiau pŵer amledd uchel, dyfeisiau electronig tymheredd uchel, dyfeisiau optoelectroneg, ac ati. Yn ogystal, gellir defnyddio carbid silicon hefyd fel a. swbstrad ar gyfer deunyddiau lled-ddargludyddion i wella perfformiad dyfais.